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用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列
引用本文:王本忠,赵方海,彭宇恒,刘式墉.用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列[J].半导体学报,1998,19(3):226-228.
作者姓名:王本忠  赵方海  彭宇恒  刘式墉
作者单位:集成光电子学国家重点实验室吉林大学分区,吉林大学电子工程系
摘    要:提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法,通过低压MOCVD技术在InP衬底上利用GaAs张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的InAs岛状结构.

关 键 词:砷化铟  磷化铟  MOCVD  砷化镓
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