| 内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性 |
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| 引用本文： | 曾宇昕,刘伟,杨富华,徐萍,章昊,边历峰,谭平恒,郑厚植,曾一平.内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性[J].半导体学报,2005,26(13):238-242. |
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| 作者姓名： | 曾宇昕 刘伟 杨富华 徐萍 章昊 边历峰 谭平恒 郑厚植 曾一平 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，100083 北京;中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，100083 北京;中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，100083 北京;中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，100083 北京;中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，100083 北京;中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，100083 北京;中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，100083 北京;中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，100083 北京;中国科学院半导体研究所 新材料部，100083 北京 |
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| 摘 要： | 研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性，获得了室温1.265μm近红外荧光发光，探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象. 制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管，获得了高耐压的场效应器件电学特性，并有望制成新型红外光电探测场效应管.
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| 关 键 词： | InAs量子点 光致发光谱 调制掺杂 场效应晶体管 |
Optical and Electrical Investigation of Embedded Self-Assembled InAs Quantum Dot Modulation Doped Field-Effect-Transistors |
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| Zeng Yuxin,Liu Wei,Yang Fuhu,Xu Ping,Zhang Hao,Bian Lifeng,Tan Pingheng,Zheng Houzhi and Zeng Yiping.Optical and Electrical Investigation of Embedded Self-Assembled InAs Quantum Dot Modulation Doped Field-Effect-Transistors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(13):238-242. |
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| Authors: | Zeng Yuxin Liu Wei Yang Fuhu Xu Ping Zhang Hao Bian Lifeng Tan Pingheng Zheng Houzhi and Zeng Yiping |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academic of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academic of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academic of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academic of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academic of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academic of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academic of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures,Institute of Semiconductors,Chinese Academic of Sciences,Beijing 100083,China;Novel Material Department,Institute of Semiconductors,Chinese Academic of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InAs quantum dot photoluminescence modulation doped field effect transistor |
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