首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

一种用于3.1–4.8GHz MB-OFDM 超宽带系统的CMOS接收机
引用本文:杨光,姚望,尹江伟,郑仁亮,李巍,李宁,任俊彦.一种用于3.1–4.8GHz MB-OFDM 超宽带系统的CMOS接收机[J].半导体学报,2009,30(1):015005-6.
作者姓名:杨光  姚望  尹江伟  郑仁亮  李巍  李宁  任俊彦
作者单位:复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海 201203; 复旦大学微纳科学技术创新平台,上海200433
基金项目:National Eleven-Five Project Funding;the Science and Technology Commission ofShanghai Municipality
摘    要:本文介绍一种应用于3.1-4.8GHz 多频带正交频分复用超宽带系统的全集成全差分CMOS接收机芯片。在接收机射频前端中应用了一种增益可变的低噪声放大器和合并结构的正交混频器。在I/Q中频通路中则集成了5阶Gm-C结构的有源低通滤波器以及可变增益放大器。芯片通过Jazz 0.18μm RF CMOS工艺流片,含ESD保护电路。该接收机最大电压增益为65dB,增益可调范围为45dB,步长6dB;接收机在3个频段的平均噪声系数为6.4-8.8dB,带内输入三阶交调量(IIP3)为-5.1dBm。芯片面积为2.3平方毫米,在1.8V电压下,包括测试缓冲电路和数字模块在内的总电流为110mA。

关 键 词:超宽带,多频带正交频分复用调制,射频,低噪声放大器,正交混频器,低通滤波器,跨导-电容型,伪差分运算跨导放大器,可变增益放大器,噪声系数,线性度

A 3.1-4.8 GHz CMOS receiver for MB-OFDM UWB
Yang Guang,Yao Wang,Yin Jiangwei,Zheng Renliang,Li Wei,Li Ning and Ren Junyan.A 3.1-4.8 GHz CMOS receiver for MB-OFDM UWB[J].Chinese Journal of Semiconductors,2009,30(1):015005-6.
Authors:Yang Guang  Yao Wang  Yin Jiangwei  Zheng Renliang  Li Wei  Li Ning and Ren Junyan
Affiliation:State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China; Micro-/Nano Science and Innovation Platform, Fudan University, Shanghai 201203,China
Abstract:
Keywords:ultra-wideband  MB-OFDM  radio frequency  low noise amplifier  quadrature mixer
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号