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| δ掺杂的赝形HEMTs AlGaAs／InGaAs／GaAs傅里叶变换光致发光光谱 | |
| 引用本文： | 沈文忠,唐文国,李自元,沈学础.δ掺杂的赝形HEMTs AlGaAs／InGaAs／GaAs傅里叶变换光致发光光谱[J].半导体学报,1994,15(12):814-819. |
| 作者姓名： | 沈文忠 唐文国 李自元 沈学础 |
| 作者单位： | 中国科学院红外物理国家实验室 |
| 摘 要： | 本文首次报道了δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴｓ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ中的傅里叶变换光致发光光谱．观察到了ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带到ｎ＝１重空穴子带的强发光峰以及ｎ＝２电子子带到浅受主的弱发光峰，由于费米能级处在高于ｎ＝２电子子带的位置上，没有观察到属于费米边的发光峰，证实了理论上所预言的δ掺杂ＨＥＭＴＳ系统具有转移效率高的优点． |
| 关 键 词： | HEMTS 砷化镓铝 砷化镓 傅里叶变换 光致发光 |
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