| 高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管 |
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| 引用本文： | 王姝睿,刘忠立,李国花,于芳,刘焕章.高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管[J].半导体学报,2001,22(8):962-966. |
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| 作者姓名： | 王姝睿 刘忠立 李国花 于芳 刘焕章 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所, |
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| 摘 要： | 在 N型 6 H - Si C外延片上 ,通过热蒸发 ,制作 Ti/ 6 H- Si C肖特基势垒二极管 (SBD) .通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,该肖特基二极管具有较好的整流特性 .反向击穿电压约为 40 0 V,室温下 ,反向电压 VR=2 0 0 V时 ,反向漏电流 JR 低于 1e- 4 A / cm2 .采用 Ne离子注入形成非晶层 ,作为边缘终端 ,二极管的击穿电压增加到约为 80 0 V.
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| 关 键 词： | 碳化硅 肖特基势垒二极管 6H-Si |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）08-0962-05 |
| 修稿时间： | 2001年2月16日 |
High-Voltage Ti／6H-SiC Schottky Barrier Diodes |
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| WANG Shu-rui,LIU Zhong-li,LI Guo-hua,YU Fang and LIU Huan-zhang.High-Voltage Ti／6H-SiC Schottky Barrier Diodes[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(8):962-966. |
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| Authors: | WANG Shu-rui LIU Zhong-li LI Guo-hua YU Fang and LIU Huan-zhang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide Sc hottky barrier diode 6H-SiC |
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