| 热载流子应力感应n-MOSFETsGIDL特性退化的机理 |
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| 引用本文： | 徐静平,黎沛涛.热载流子应力感应n-MOSFETsGIDL特性退化的机理[J].半导体学报,1999,20(12):1087-1092. |
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| 作者姓名： | 徐静平 黎沛涛 |
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| 作者单位： | [1]华中理工大学电子科学与技术系 [2]香港大学电机电子工程系 |
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| 摘 要： | 对不同栅氧化物ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ的ＧＩＤＬ（Ｇａｔｅ－ＩｎｄｕｃｅｄＤｒａｉｎＬｅａｋａｇｅ）特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究．发现ＧＩＤＬ的漂移对栅电压十分敏感，在ＶＧ＝０．５ＶＤ的应力条件下呈现最大．通过对漏极附近二维电场及载流子分布的模拟，引入“亚界面陷阱”概念，对所涉及的机理提出了新见解，认为：在应力期间，亚界面和体氧化物空穴陷阱的解陷分别相应于ＶＧ＝０．５ＶＤ和ＶＧ＝ＶＤ两种典型应力下ＧＩＤＬ的漂移．实验还观察到Ｎ２Ｏ氮化，特别是Ｎ２Ｏ退火ＮＨ３氮化的ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ比常规热氧化ｎ
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| 关 键 词： | n－MOSFETs GIDL 热载流子应力 退化 |
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