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一种Ka波段低相噪GaAs HBT压控振荡器
引用本文:严婷,张玉明,吕红亮,张义门,武岳,刘一峰.一种Ka波段低相噪GaAs HBT压控振荡器[J].半导体学报,2015,36(2):025001-4.
作者姓名:严婷  张玉明  吕红亮  张义门  武岳  刘一峰
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:本文研究了一种采用GaAs HBT工艺实现的工作在Ka波段的压控振荡器。该振荡器采用共射级组态和对称式电容电感谐振腔结构以降低其相位噪声,采用π型反馈网络补偿180°相移。在片测试结果表明:偏离中心频率1 MHz处相位噪声为-96.47dBc/Hz,调谐范围为28.312到28.695GHz,在-6V电源电压下该振荡器直流功耗为18mA,振荡器芯片面积为0.7mm×0.7mm。

关 键 词:VCO  GaAs  HBT  common-emitter  phase  noise  π-feedback
收稿时间:7/3/2014 12:00:00 AM
修稿时间:8/6/2014 12:00:00 AM

Low phase noise GaAs HBT VCO in Ka-band
Yan Ting,Zhang Yuming,L&#; Hongliang,Zhang Yimen,Wu Yue and Liu Yifeng.Low phase noise GaAs HBT VCO in Ka-band[J].Chinese Journal of Semiconductors,2015,36(2):025001-4.
Authors:Yan Ting  Zhang Yuming  L&#; Hongliang  Zhang Yimen  Wu Yue and Liu Yifeng
Affiliation:School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide-Gap Semiconductor Materials and Devices,Xi'an 710071, China
Abstract:
Keywords:VCO  GaAs HBT  common-emitter  phase noise  π-feedback
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