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| Si晶格常数超高精度传递测量中的标准晶体及制备 | |
| 引用本文： | 高维滨.Si晶格常数超高精度传递测量中的标准晶体及制备[J].半导体学报,1991,12(7):435-440. |
| 作者姓名： | 高维滨 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083 |
| 摘 要： | 用XROI(X-Ray/Optics Interferometry)法测得高精度的Si(220)面间距,22.5℃为192015.902±0.019 fm.并发展了晶格常数超高精度测量传递方法.本文根据传递测量的原理及测量技术阐明了对标准晶体制备的要求.文中给出了我们的标准晶体的尺寸,一个样品晶体的测量曲线. |
| 关 键 词： | 硅晶格 测量 标准晶体 制造 |
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