|
|||||
|
|
| 量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响 | |
| 引用本文： | 张敬明,徐遵图,杨国文,郑婉华,钱毅,李世祖,肖建伟,徐俊英,陈良惠.量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响[J].半导体学报,1995,16(9):655-658. |
| 作者姓名： | 张敬明 徐遵图 杨国文 郑婉华 钱毅 李世祖 肖建伟 徐俊英 陈良惠 |
| 作者单位： | 国家光电子器件工程研究中心，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合． |
| 关 键 词： | 量子阱放大器 光增益 激射特性 温度 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |