| 一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式 |
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| 引用本文： | 张贺秋,许铭真,谭长华.一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式[J].半导体学报,2004,25(5):516-519. |
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| 作者姓名： | 张贺秋 许铭真 谭长华 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所 北京100871
(张贺秋，许铭真)，北京大学微电子学研究所 北京100871(谭长华) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 建立了一个直接隧穿电流的经验公式 .将氧化层厚度作为可调参数 ,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物 n MOSFET器件的直接隧穿电流 .在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压 -电容方法模拟得到的氧化层厚度小 ,其偏差在 0 .3nm范围内 .
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| 关 键 词： | 直接隧穿电流 nMOSFET 超薄 |
An Empirical Direct Tunneling Current Expression for Ultra-Thin Oxide nMOSFETs |
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| Zhang Heqiu,Xu Mingzhen,Tan Changhua.An Empirical Direct Tunneling Current Expression for Ultra-Thin Oxide nMOSFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(5):516-519. |
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| Authors: | Zhang Heqiu Xu Mingzhen Tan Changhua |
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| Abstract: | An empirical expression for the direct tunneling (DT) current is obtained.This expression can be used to calculate the DT current for nMOSFETs with ultra thin oxide when the oxide thickness is considered as an adjustable parameter.The results have good agreement with the experimental data.And the oxide thickness obtained is less than the value acquired from the capacitance voltage( C V )method. |
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| Keywords: | direct tunnel current nMOSFETs ultra thin |
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