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| Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性 | |
| 作者姓名： | 杨沁清 钱毅 董文甫 王启明 崔堑 黄绮 周钧铭 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所 [2]中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构．非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍．从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％，且m≈1．1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的．随着激发功率的增加，可以看到PL谱的蓝移． |
| 关 键 词： | 硅 非平面衬底 量子阱 光致发光 |
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