| PZT铁电场效应晶体管电学性能 |
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| 引用本文： | 蔡道林,李平,翟亚红,张树人.PZT铁电场效应晶体管电学性能[J].半导体学报,2007,28(11). |
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| 作者姓名： | 蔡道林 李平 翟亚红 张树人 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的n沟道铁电场效应晶体管.研究了铁电场效应晶体管的C-V特性、I-V特性以及写入速度.顺时针的C-V滞回曲线和逆时针的Id-Vg滞回曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有极化存储性能和明显的栅极化调制效应,并且在-5V到+5V的Vg电压下从C-V和Id-Vg滞回曲线中都得到了2V的存储窗口.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 MFMIS 铁电场效应晶体管 存储窗口 |
Electrical Properties of a PZT Ferroelectric Field Effect Transistor |
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| Cai Daolin,Li Ping,Zhai Yahong,Zhang Shuren.Electrical Properties of a PZT Ferroelectric Field Effect Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(11). |
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| Authors: | Cai Daolin Li Ping Zhai Yahong Zhang Shuren |
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