| 前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜 |
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| 引用本文： | 彭冬生,冯玉春,牛憨笨.前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 彭冬生 冯玉春 牛憨笨 |
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| 作者单位： | 1. 深圳大学光电子学研究所,深圳,518060;中国科学院西安光学精密机械研究所,西安,710068;中国科学院研究生院,北京,100049
2. 深圳大学光电子学研究所,深圳,518060 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金，广东省关键领域重点突破项目，广东省深圳市科技计划 |
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| 摘 要： | 采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(1012)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80"及320.76"
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| 关 键 词： | 前处理 MOCVD GaN薄膜 |
High Quality GaN Films Growth on Pre-Treated Sapphire Substrate |
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| Peng Dongsheng,Feng Yuchun,Niu Hanben.High Quality GaN Films Growth on Pre-Treated Sapphire Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Peng Dongsheng Feng Yuchun Niu Hanben |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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