| 凹栅AlGaN/GaN HFET |
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| 引用本文： | 张志国,冯震,杨梦丽,冯志红,默江辉,蔡树军,杨克武.凹栅AlGaN/GaN HFET[J].半导体学报,2007,28(9). |
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| 作者姓名： | 张志国 冯震 杨梦丽 冯志红 默江辉 蔡树军 杨克武 |
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| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;西安电子科技大学微电子学院,西安,710071
2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小到1.7,栅极漏电减小一个数量级.在频率为8GHz时,负载牵引系统测试显示,当工作电压增加到40V,输出功率密度达到11.74W/mm.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HFET 凹栅 高电压 高功率密度 |
Recess-Gate AlGaN/GaN HFET |
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| Zhang Zhiguo,Feng Zhen,Yang Mengli,Feng Zhihong,Mo Jianghui,Cai Shujun,Yang Kewu.Recess-Gate AlGaN/GaN HFET[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(9). |
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| Authors: | Zhang Zhiguo Feng Zhen Yang Mengli Feng Zhihong Mo Jianghui Cai Shujun Yang Kewu |
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