| ZnO/p-Si异质结构的电学输运特性 |
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| 引用本文： | 顾启琳,陈旭东,凌志聪,梅永丰,傅劲裕,萧季驹,朱剑豪.ZnO/p-Si异质结构的电学输运特性[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 顾启琳 陈旭东 凌志聪 梅永丰 傅劲裕 萧季驹 朱剑豪 |
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| 作者单位： | 1. 香港大学物理系,香港
2. 香港城市大学物理与材料科学系,香港 |
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| 基金项目： | 香港研究资助局资助项目 |
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| 摘 要： | 采用等离子体浸没离子注入沉积方法,在p型Si衬底上制备了具有整流特性的、非故意掺杂的以及掺氮的ZnO/p-Si异质结.非故意掺杂的ZnO薄膜为n型(电子浓度为1019cm-3数量级),掺氮的ZnO薄膜为高阻(电阻率为105Ω·cm数量级).非故意掺杂的ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,当偏压大于0.4V,电流遵循欧姆定律.然而对于掺氮的ZnO/p-Si样品,当偏压小于1.0V时,电流表现为欧姆特性,当偏压大于2.5V时,电流密度与电压的平方成正比的关系.分别用Anderson模型和空间电荷限制电流模型对非故意掺杂和掺氮的ZnO/p-Si异质结二极管的电流输运特性进行了解释.
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| 关 键 词： | PIII&D ZnO/p-Si异质结 Anderson模型 空间电荷限制模型 电流输运 |
Electrical Transport Properties of ZnO/p-Si Heterostructure |
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| Gu Qilin,Chen Xudong,Ling Zhicong,Mei Yongfeng,Fu Jinyu,Xiao Jiju,Zhu Jianhao.Electrical Transport Properties of ZnO/p-Si Heterostructure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Gu Qilin Chen Xudong Ling Zhicong Mei Yongfeng Fu Jinyu Xiao Jiju Zhu Jianhao |
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