| InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究 |
| |
| 引用本文： | 蔡道民,李献杰,赵永林,刘跳,林涛,江李,马晓宇.InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
| |
| 作者姓名： | 蔡道民 李献杰 赵永林 刘跳 林涛 江李 马晓宇 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;
|
| 关 键 词： | InP 双异质结晶体管 自对准 |
Investigation of InP/InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor |
| |
| Cai Daomin,Li Xianjie,Zhao Yonglin,Liu Tiao,Lin Tao,Jiang Li,Ma Xiaoyu.Investigation of InP/InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
| |
| Authors: | Cai Daomin Li Xianjie Zhao Yonglin Liu Tiao Lin Tao Jiang Li Ma Xiaoyu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
