硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备 |
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引用本文: | 吴俊辉,邹建平,朱青,鲍希茂.硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备[J].半导体学报,1999,20(4):314-318. |
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作者姓名: | 吴俊辉 邹建平 朱青 鲍希茂 |
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作者单位: | 南京大学物理系 |
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摘 要: | 本文报道用自组织法在硅片上制备纳米多孔氧化铝列阵的技术.在P型〈100〉晶向,电阻率为0.5Ω·cm的清洁硅片上,用电子束蒸发一层400nm厚的99.99%高纯铝膜,然后将其作为阳极,浸入15wt%H2SO4溶液中,在直流恒压40V、恒温0℃条件下进行电化学氧化处理.处理结束后,分别用透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)对样品实施了平面形貌和横断面形貌观察,结果表明,在硅片上形成了一层厚约700nm,孔间距50nm,孔径17nm,局域呈六度对称的氧化铝纳米有序孔列阵.这种纳米多孔列阵可用作制
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关 键 词: | 硅基氧化铝 纳米材料 有序孔列阵 制备 |
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