| 等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜 |
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| 引用本文： | 刘丰珍,朱美芳,冯勇,刘金龙,汪六九,韩一琴.等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜[J].半导体学报,2003,24(5):499-503. |
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| 作者姓名： | 刘丰珍 朱美芳 冯勇 刘金龙 汪六九 韩一琴 |
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| 作者单位： | 中国科学院研究生院物理系 北京100039
(刘丰珍，朱美芳，冯勇，刘金龙，汪六九)，中国科学院研究生院物理系 北京100039(韩一琴) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划 ( No.G2 0 0 0 0 2 82 0 8)，国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 76 0 0 4)资助项目~~ |
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| 摘 要： | 采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜,通过Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质.结果表明,与单纯的热丝和等离子体技术相比,等离子体-热丝CVD技术在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性.Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成.
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| 关 键 词： | 等离子体-热丝CVD 多晶硅 薄膜结构 光学性质 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)05-0499-05 |
| 修稿时间： | 2002年5月30日 |
Poly-Si Thin Films Prepared by Plasma-Hot Wire CVD |
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| Liu Fengzhen,Zhu Meifang,Feng Yong,Liu Jinlong,Wang Liujiu and Han Yiqin.Poly-Si Thin Films Prepared by Plasma-Hot Wire CVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(5):499-503. |
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| Authors: | Liu Fengzhen Zhu Meifang Feng Yong Liu Jinlong Wang Liujiu and Han Yiqin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | plasma enhanced-hot wire chemical vapor deposition (PE-HWCVD) polycrystalline silicon thin film structure optical properties |
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