| 用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究 |
| |
| 引用本文： | 黄文韬,陈长春,李希有,沈冠豪,张伟,刘志弘,陈培毅,钱佩信.用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究[J].半导体学报,2004,25(12):1666-1671. |
| |
| 作者姓名： | 黄文韬 陈长春 李希有 沈冠豪 张伟 刘志弘 陈培毅 钱佩信 |
| |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京100084 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺Asn+型Si衬底上生长了掺Pn-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果表明,生长温度对n+-Si衬底的As外扩有明显影响,在700℃下生长的Si外延层的过渡区厚度为0.16μm,而在500℃下仅为0.06μm,且杂质分布非常陡峭.X射线双晶衍射分析表明在700℃下生长的Si外延层的质量很高.制作的锗硅异质结晶体管(SiGeHBT)的击穿特性很硬,击穿电压为14.5V,在VCB=14.0V下的漏电流仅为0.3μA;输出特性很好,在VCE=5V,IC=3mA时的放大倍数为60
|
| 关 键 词： | UHV/CVD 硅外延 杂质分布 SiGe HBT |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)12-1666-06 |
| 修稿时间： | 2004年1月24日 |
UHV/CVD n--Type Silicon Epitaxy Used for SiGe HBT Device |
| |
| Huang Wentao,Chen Changchun,Li Xiyou,Shen Guanhao,Zhang Wei,Liu Zhihong,Chen Peiyi and Tsien Pei-Hsin.UHV/CVD n--Type Silicon Epitaxy Used for SiGe HBT Device[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(12):1666-1671. |
| |
| Authors: | Huang Wentao Chen Changchun Li Xiyou Shen Guanhao Zhang Wei Liu Zhihong Chen Peiyi and Tsien Pei-Hsin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | UHV/CVD Si epitaxy dopant profile SiGe HBT |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
