| 金属/n型AlGaN欧姆接触 |
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| 引用本文： | 周慧梅,沈波,周玉刚,刘杰,郑泽伟,钱悦,张荣,施毅,郑有炓,曹春海,焦刚,陈堂胜.金属/n型AlGaN欧姆接触[J].半导体学报,2002,23(2):153-156. |
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| 作者姓名： | 周慧梅 沈波 周玉刚 刘杰 郑泽伟 钱悦 张荣 施毅 郑有炓 曹春海 焦刚 陈堂胜 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理系,南京,210093;2. 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000683; |
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| 摘 要： | 用传输线模型对n型AlGaN(n-AlGaN)上Au/Pt/Al/Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量.在850℃退火5min后,测得欧姆接触电阻率达1.6×10-4Ω·cm2.经X射线衍射分析,Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面固相反应得出在500℃以上退火过程中,AlGaN层中N原子向外扩散,在AlGaN表面附近形成n型重掺杂层,导致欧姆接触电阻率下降;随退火温度的升高,N原子外扩散加剧,到800℃以上退火在Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面形成Ti2N相,导致欧姆接触电阻率进一步下降.
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| 关 键 词： | Ⅲ族氮化物 欧姆接触 界面固相反应 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)02-0153-04 |
| 修稿时间： | 2001年7月1日 |
Metal/n-AlGaN Ohmic Contact |
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| Zhou Huimei ,Shen Bo ,Zhou Yugang ,Liu Jie ,Zheng Zewei ,Qian Yue ,Zhang Rong ,Shi Yi ,Zheng Youdou ,Cao Chunhai ,Jiao Gang and Chen Tangsheng.Metal/n-AlGaN Ohmic Contact[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(2):153-156. |
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| Authors: | Zhou Huimei Shen Bo Zhou Yugang Liu Jie Zheng Zewei Qian Yue Zhang Rong Shi Yi Zheng Youdou Cao Chunhai Jiao Gang and Chen Tangsheng |
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| Affiliation: | Zhou Huimei 1,Shen Bo 1,Zhou Yugang 1,Liu Jie 1,Zheng Zewei 1,Qian Yue 1,Zhang Rong 1,Shi Yi 1,Zheng Youdou 1,Cao Chunhai 2,Jiao Gang 2 and Chen Tangsheng 2 |
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