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| Al:Ti合金栅a-Si TFT研究 | |
| 作者姓名： | 熊绍珍 赵颖 王宗畔 谷纯芝 王丽莉 李俊峰 周祯华 代永平 姚伦 |
| 作者单位： | 南开大学光电子所光学信息技术科学开放研究实验室!天津，300071，南开大学光电子所光学信息技术科学开放研究实验室!天津，300071，南开大学光电子所光学信息技术科学开放研究实验室!天津，300071，南开大学光电子所光学信息技术科学开放研究实验室!天津，300071，南开大学光电子 |
| 摘 要： | 本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的被腐蚀现象．采用Al∶Ti合金栅和Al2O3／SiNx双层绝缘层的a-SiTFT有着与采用Ta栅和单层SiNx绝缘层的a－SiTFT相近的I－V参数，但前者稳定性明显提高．经+10V栅偏压处理1小时，未见VT漂移．这种双层冗余技术还能有效提高成品率． |
| 关 键 词： | 半导体 铝钛合金栅 硅栅器件 α－硅 TFT |
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