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| 氢化非晶及微晶硅的氢含量和红外光谱研究 | |
| 引用本文： | 何宇亮,颜永红,殷晨钟,玉志超,沈学础,朱浩荣.氢化非晶及微晶硅的氢含量和红外光谱研究[J].半导体学报,1984,5(5):508-515. |
| 作者姓名： | 何宇亮 颜永红 殷晨钟 玉志超 沈学础 朱浩荣 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 (何宇亮，颜永红，殷晨钟，玉志超)，中国科学院上海技术物理研究所 (沈学础)，中国科学院上海技术物理研究所(朱浩荣) |
| 摘 要： | 本文报道了不同衬底温度,不同生长速率和不同射频功率情况下辉光放电分解硅烷方法生长的氢化非晶与微晶硅中的氢含量和红外振动吸收光谱及其退火效应的研究结果.升高衬底温度和增大射频淀积功率都导致样品中氢总含量的下降,但就SiH_2与SiH 的相对含量而论,前者导致SiH_2相对含量的减少,而后者似乎引起相反的效果.热退火和光谱测量实验表明:不同条件下生长的非晶或微晶薄膜的热稳定性是不同的,缓慢的生长速率似乎有助于提高薄膜的热稳定性. |
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