| MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 周新翠,叶志镇,陈福刚,徐伟中,缪燕,黄靖云,吕建国,朱丽萍,赵炳辉.MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜[J].半导体学报,2006,27(1). |
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| 作者姓名： | 周新翠 叶志镇 陈福刚 徐伟中 缪燕 黄靖云 吕建国 朱丽萍 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明:生长温度为400～450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64Ω·cm,迁移率为0.838cm2/(V·s).霍尔测试和低温光致发光谱证实了该ZnO薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354eV与中性受主束缚激子相关的发射峰.
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| 关 键 词： | p-ZnO 金属有机化学气相沉积 磷掺杂 |
Growth of Phosphorus-Doped p-Type ZnO Thin Films by MOCVD |
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| Zhou Xincui,Ye Zhizhen,Chen Fugang,Xu Weizhong,Miao Yan,Huang Jingyun,Lü Jianguo,Zhu Liping,Zhao Binghui.Growth of Phosphorus-Doped p-Type ZnO Thin Films by MOCVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(1). |
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| Authors: | Zhou Xincui Ye Zhizhen Chen Fugang Xu Weizhong Miao Yan Huang Jingyun Lü Jianguo Zhu Liping Zhao Binghui |
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