| 热退火对 InGaN薄膜性质的影响 |
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| 引用本文： | 文博,江若琏,刘成祥,谢自力,周建军,韩平,张荣,郑有炓.热退火对 InGaN薄膜性质的影响[J].半导体学报,2006,27(Z1). |
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| 作者姓名： | 文博 江若琏 刘成祥 谢自力 周建军 韩平 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86N薄膜的晶格质量、表面形貌以及光学特性和电学特性随着退火温度的变化情况.结果表明,有利于提高In0.14Ga0.86N薄膜质量的最佳退火温度为500℃.通过对变温霍尔实验数据的拟合,初步分析了退火前后InGaN样品中的多种散射机制以及它们的变化情况.
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| 关 键 词： | InGaN 热退火 散射机制 |
Influence of Thermal Annealing on Properties of InGaN Films |
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| Wen Bo,Jiang Ruolian,Liu Chengxiang,Xie Zili,Zhou Jianjun,Han Ping,Zhang Rong,Zheng Youdou.Influence of Thermal Annealing on Properties of InGaN Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(Z1). |
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| Authors: | Wen Bo Jiang Ruolian Liu Chengxiang Xie Zili Zhou Jianjun Han Ping Zhang Rong Zheng Youdou |
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