| 0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟 |
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| 引用本文： | 池毓宋,黄风义,吴忠洁,张少勇,孔晓明,王志功.0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟[J].半导体学报,2006,27(2). |
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| 作者姓名： | 池毓宋 黄风义 吴忠洁 张少勇 孔晓明 王志功 |
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| 作者单位： | 东南大学无线电工程系,射频与光电集成电路研究所,南京,210096 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，江苏省自然科学基金，东南大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz,fmax超过了90GHz.采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟.在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.
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| 关 键 词： | CMOS 射频 小信号模型 参数提取 |
Characterization and Modeling for 0.13μm RF MOSFETs |
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| Chi Yusong,Huang Fengyi,Wu Zhongjie,Zhang Shaoyong,Kong Xiaoning,Wang Zhigong.Characterization and Modeling for 0.13μm RF MOSFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(2). |
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| Authors: | Chi Yusong Huang Fengyi Wu Zhongjie Zhang Shaoyong Kong Xiaoning Wang Zhigong |
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