| 射频磁控溅射制备ZnO：Ga透明导电膜及特性 |
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| 引用本文： | 余旭浒,马瑾,计峰,王玉恒,王翠英,马洪磊.射频磁控溅射制备ZnO：Ga透明导电膜及特性[J].半导体学报,2005,26(2):314-318. |
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| 作者姓名： | 余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 王翠英 马洪磊 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院 济南250100
(余旭浒，马瑾，计峰，王玉恒)，泰山医学院物理实验室 泰安271000
(王翠英)，山东大学物理与微电子学院 济南250100(马洪磊) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;6027044; |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率达到了 3 9× 10 -4Ω·cm ,方块电阻约为 4 6Ω/□ ,薄膜具有良好的附着性 ,在可见光区的平均透过率达到 90 %以上 .
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| 关 键 词： | 磁控溅射 ZnO：Ga 光电特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)02-0314-05 |
| 修稿时间： | 2004年2月28日 |
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