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| 电场下超晶格GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs[111]的电子结构 | |
| 引用本文： | 范卫军,夏建白.电场下超晶格GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs[111]的电子结构[J].半导体学报,1991,12(6):323-331. |
| 作者姓名： | 范卫军 夏建白 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083 (范卫军)，中国科学院半导体研究所 北京100083(夏建白) |
| 摘 要： | 用有效质量理论研究了GaAs/Ga_(1-x) Al_xAs111]超晶格在外加电场下的电子结构.具体计算了超晶格的子能带色散关系曲线,子能级随外加电场的变化,并且计算了k_u=0的光跃迁矩阵元平方随电场的变化.与零电场情况相比,发现在k_u≠0处子能带的二重简并解除.随电场的增大,△n=0的跃迁减小,而△n≠0的跃迁增大.考虑单轴压力效应后,轻空穴和重空穴的能级位置发生下降和上升. |
| 关 键 词： | 电场 化合物半导体 材料 电子结构 |
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