| 用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅 |
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| 引用本文： | 孙加兴,叶甜春,陈大鹏,谢常青,伊福庭.用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅[J].半导体学报,2004,25(3):358-360. |
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| 作者姓名： | 孙加兴 叶甜春 陈大鹏 谢常青 伊福庭 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心 北京100029
(孙加兴，叶甜春，陈大鹏，谢常青)，中国科学院高能物理研究所 北京100039(伊福庭) |
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| 摘 要： | 采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.
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| 关 键 词： | X射线光刻 PHEMT T型栅 三层胶工艺 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)03-0358-03 |
| 修稿时间： | 2003年3月11日 |
Tri-Layer Resist Fabrication Technology of T-Shaped Gate Using X-Ray Lithography |
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| Sun Jiaxing,Ye Tianchun,Chen Dapeng,Xie Changqing and Yi Futing.Tri-Layer Resist Fabrication Technology of T-Shaped Gate Using X-Ray Lithography[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(3):358-360. |
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| Authors: | Sun Jiaxing Ye Tianchun Chen Dapeng Xie Changqing and Yi Futing |
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| Affiliation: | Sun Jiaxing1,Ye Tianchun1,Chen Dapeng1,Xie Changqing1 and Yi Futing2 |
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| Abstract: | The tri-layer resist technology is used to fabricate T-shaped gate.The fabrication efficiency is high.The shape of T-shaped gate is perfect.The ratio of head to footprint of the T-shaped gate is controllable.The way meets the need of the device fabrication. |
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| Keywords: | X-ray lithography PHEMT T-shaped gate tri-layer resist technology |
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