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| Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察 | |
| 引用本文： | 张灶利,翟启华,纪箴,肖治纲,杜国维.Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察[J].半导体学报,1996,17(4):265-268. |
| 作者姓名： | 张灶利 翟启华 纪箴 肖治纲 杜国维 |
| 作者单位： | 北京科技大学材料物理系 |
| 摘 要： | 本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应．结果表明：在氩气氛下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物形成，而在Ｃｏ／ＳｉＯ２界面，无硅化物产生．在真空条件下５００℃处理１小时，薄膜没有氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面形成完整的ＣｏＳｉ２外延层． |
| 关 键 词： | Co／Si Co／SiO2 界面反应 硅化物薄膜 |
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