| 应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器 |
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| 引用本文： | 刘峰奇,张永照,张权生,王占国.应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器[J].半导体学报,2000,21(10):1038-1040. |
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| 作者姓名： | 刘峰奇 张永照 张权生 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69786002; |
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| 摘 要： | 利用应变补偿的方法研制出激射波长 λ≈ 3.5— 3.7μm的量子级联激光器 .条宽 2 0 μm,腔长 1 .6mm的 Inx Ga1- x As/Iny Al1- y As量子级联激光器已实现室温准连续激射 .在最大输出功率处的准连续激射可持续 30 min以上 .
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| 关 键 词： | 量子级联激光器 分子束外延 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)10-1038-03q |
| 修稿时间： | 2000年7月3日 |
Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Quantum Cascade Laser |
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| LIU Feng\|qi,ZHANG Yong\|zhao,ZHANG Quan\|sheng and WANG Zhan\|guo.Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Quantum Cascade Laser[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(10):1038-1040. |
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| Authors: | LIU Feng\|qi ZHANG Yong\|zhao ZHANG Quan\|sheng and WANG Zhan\|guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum cascade laser molecular beam epitaxy |
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