| 直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性 |
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| 引用本文： | 袁国栋,叶志镇,曾昱嘉,吕建国,钱庆,黄靖云,赵炳辉,朱丽萍.直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性[J].半导体学报,2004,25(6):668-673. |
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| 作者姓名： | 袁国栋 叶志镇 曾昱嘉 吕建国 钱庆 黄靖云 赵炳辉 朱丽萍 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027
(袁国栋，叶志镇，曾昱嘉，吕建国，钱庆，黄靖云，赵炳辉)，浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027(朱丽萍) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 1e2 ～ 1e3 Ω·cm ,载流子浓度为 1e15～ 1e16cm-3 ,迁移率为 0.5～ 1.32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ,p ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率 (约为 90 % ) ,室温下光学带宽为 3 2 8eV
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| 关 键 词： | Al N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)06-0668-06 |
| 修稿时间： | 2003年5月21日 |
Preparation and Characteristics of p-Type ZnO Films Using Al and N Codoping Method by DC Reactive Magnetron Sputtering |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Al and N codoping method p-ZnO DC reactive magnetron sputtering |
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