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| 分子束延GaAs1—xSbx／GaAs及界面失配研究 | |
| 引用本文： | 阎春辉,郑海群.分子束延GaAs1—xSbx／GaAs及界面失配研究[J].半导体学报,1994,15(10):665-669. |
| 作者姓名： | 阎春辉 郑海群 |
| 摘 要： | 本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配质结材料开展了较为深入的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明Ｓｂ结合到ＧａＡｓＳｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配使用随温度升高而降低，利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明 |
| 关 键 词： | 分子束外延 半导体材料 砷化镓 界面失配 GaAsSb |
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