| SOI基双级RESURF二维解析模型 |
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| 引用本文： | 郭宇锋,方健,张波,李泽宏,李肇基.SOI基双级RESURF二维解析模型[J].半导体学报,2005,26(4):764-769. |
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| 作者姓名： | 郭宇锋 方健 张波 李泽宏 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心 成都610054
(郭宇锋，方健，张波，李泽宏)，电子科技大学IC设计中心 成都610054(李肇基) |
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| 摘 要： | 提出了SOI基双级RESURF二维解析模型．基于二维Poisson方程，获得了表面电势和电场分布解析表达式，给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据，得到RESURF浓度优化区(DOR，doping optimal region）,研究表明该判据和DOR还可用于其他单层或双层漂移区结构．根据此模型，对双级RESURF结构的降场机理和击穿特性进行了研究，并利用二维器件仿真器MEDICI进行了数值仿真．以此为指导成功研制了耐压为560V和720V的双级RESURF高压SOI LDMOS．解析解、数值解和实验结果吻合得较好．
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| 关 键 词： | SOI 双极RESURF 击穿电压 模型 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)04-0764-06 |
| 修稿时间： | 2004年5月22日 |
A 2D Analytical Model of SOI Double RESURF Effect |
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| Guo Yufeng,Fang Jian,Zhang Bo,Li Zehong,Li Zhaoji.A 2D Analytical Model of SOI Double RESURF Effect[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(4):764-769. |
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| Authors: | Guo Yufeng Fang Jian Zhang Bo Li Zehong Li Zhaoji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI double RESURF breakdown voltage model |
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