| RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 |
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| 引用本文： | 孙殿照,胡国新,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料[J].半导体学报,2001,22(11). |
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| 作者姓名： | 孙殿照 胡国新 王晓亮 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体所材料中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-a,相应的电子迁移率为177cm2/(V·s);GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6′;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730cm2/(V·s),相应的电子气面密度为7.6×1012cm-2;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50mS/mm(栅长1μm),截止频率达13GHz(栅长0.5μm).
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| 关 键 词： | RF-MBE 二维电子气 HFET AlGaN/GaN |
AIGaN/GaN Polarization-Induced Two-Dimensional Electron Gas Materials Grown by Radio-Frequency Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy |
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