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| InP材料直接键合技术 | |
| 引用本文： | 李宁,韩彦军,郝智彪,孙长征,罗毅.InP材料直接键合技术[J].半导体学报,2001,22(9). |
| 作者姓名： | 李宁 韩彦军 郝智彪 孙长征 罗毅 |
| 作者单位： | 清华大学电子工程系, |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 研究了InP/InP的直接键合技术,给出了详细的InP/InP键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据,在低于650℃的键合温度下实现了InP/InP大面积的均匀直接键合,获得了与单晶InP衬底相同的电特性和机械强度.在器件的键合实验中也获得了成功,在InGaAsP/InP多量子阱激光器结构的外延面上键合p-InP衬底后制作的激光器激射特性良好. |
| 关 键 词： | 直接键合 InP 半导体激光器 |
Characteristics of Direct Wafer Bonded InP Materials |
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| Keywords: | |
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