| 高性能六边形发射极InGaP/GaAs异质结双极型晶体管 |
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| 引用本文： | 刘洪刚,袁志鹏,和致经,吴德馨. 高性能六边形发射极InGaP/GaAs异质结双极型晶体管[J]. 半导体学报, 2003, 24(11): 1135-1139 |
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| 作者姓名： | 刘洪刚 袁志鹏 和致经 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G2000006830403; |
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| 摘 要： | 六边形发射极的自对准In Ga P/ Ga As异质结具有优异的直流和微波性能.采用发射极面积为2μm×10μm的异质结双极型晶体管,VCE偏移电压小于15 0 m V,膝点电压为0 .5 V(IC=16 m A) ,BVCEO大于9V,BVCBO大于14 V,特征频率高达92 GHz,最高振荡频率达到10 5 GHz.这些优异的性能预示着In Ga P/ Ga As HBT在超高速数字电路和微波功率放大领域具有广阔的应用前景
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| 关 键 词： | 异质结双极型晶体管 InGaP/GaAs 六边形发射极 |
Super Performance InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Hexagonal Emitter |
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| Liu Honggang,Yuan Zhipeng,He Zhijing,Wu Dexin. Super Performance InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Hexagonal Emitter[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(11): 1135-1139 |
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| Authors: | Liu Honggang Yuan Zhipeng He Zhijing Wu Dexin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HBT InGaP/GaAs hexagonal emitter |
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