| GaAs MMIC用无源元件的模型 |
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| 引用本文： | 申华军,陈延湖,严北平,杨威,葛霁,王显泰,刘新宇,吴德馨.GaAs MMIC用无源元件的模型[J].半导体学报,2006,27(10):1872-1879. |
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| 作者姓名： | 申华军 陈延湖 严北平 杨威 葛霁 王显泰 刘新宇 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029 |
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| 基金项目： | 中科院创新项目“新型高频、大功率化合物半导体电子器件研究” |
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| 摘 要： | 制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16.1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.
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| 关 键 词： | MMIC 矩形螺旋电感 MIM电容 薄膜电阻 多项式拟合公式 MMIC GaAs 无源元件 模型参数 Models Component 电感 高品质 损耗 寄生 积相关 小线圈 影响 性能参数 结构参数 分析 方块电阻 NiCr 电容值 单位面积 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)10-1872-08 |
| 收稿时间： | 2/24/2006 2:40:29 PM |
| 修稿时间： | 6/7/2006 10:53:26 PM |
Passive Component Models for GaAs MMICs |
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| Shen Huajun,Chen Yanhu,Yan Beiping,Yang Wei,Ge Ji,Wang Xiantai,Liu Xinyu and Wu Dexin.Passive Component Models for GaAs MMICs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(10):1872-1879. |
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| Authors: | Shen Huajun Chen Yanhu Yan Beiping Yang Wei Ge Ji Wang Xiantai Liu Xinyu and Wu Dexin |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MMIC rectangle spiral inductor MIM capacitor film resistor fitting polynomial formulas |
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