| AI/W/TiN/AI及AI/W/TiW/AI结构特性研究 |
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| 引用本文： | 武国英,郝一龙,徐立,张国炳,刘晓华.AI/W/TiN/AI及AI/W/TiW/AI结构特性研究[J].半导体学报,1993,14(2):103-110. |
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| 作者姓名： | 武国英 郝一龙 徐立 张国炳 刘晓华 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所，北京大学微电子学研究所，北京大学微电子学研究所，北京大学微电子学研究所，北京大学微电子学研究所 北京 100871，北京 100871，北京 100871，北京 100871，北京 100871 |
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| 摘 要： | 本文研究了H_2还原WF_6在α-Si/TiN/Al和TiW/Al衬底上LPCVD生长钨膜的特性。测量和分析了Al/W/TiN/Al和Al/W/TiW/Al结构的接触电阻和界面特性,研究了两种结构的热稳定性。结果表明,H_2还原WF_6可以在α-Si/TiN/Al和TiW/Al衬底上实现选择性钨淀积,钨膜质量较好。Al/W/TiN/Al和Al/W/TiW/Al结构接触电阻率为10~(-?)Ωcm~2量级,远低于难熔金属硅化物同硅的欧姆接触电阻率。两种结构的热稳定性良好。采用TiN或TiW作为Al和W之间的隔离层,CVD-W填充互连层连通孔可以满足多层金属平坦化互连技术的要求。
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