| 硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响 |
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| 引用本文： | 徐彭寿,张发培,祝传刚,陆尔东,徐法强,潘海斌,张新夷.硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响[J].半导体学报,2000,21(4):340-345. |
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| 作者姓名： | 徐彭寿 张发培 祝传刚 陆尔东 徐法强 潘海斌 张新夷 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230029，中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230029，中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230029，中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230029，中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230029，中国科学技术大学国家同步 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目;; |
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| 摘 要： | 利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互作用并增强了在 Ga As( 1 0 0 )表面生长的铁超薄膜的磁性 .
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| 关 键 词： | 硫钝化 半导体界面 电子结构 磁性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)04-0340-06 |
| 修稿时间： | 1998年12月11日 |
Effect of Sulfur Passivation on Electronic Structure and Magnetism of Fe/GaAs(1O0) |
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| XU Peng\|shou,ZHANG Fa\|pei,ZHU Chuan\|gang,LU Er\|dong,XU Fa\|qiang,PAN Hai\|bin and ZHANG Xin\|yi.Effect of Sulfur Passivation on Electronic Structure and Magnetism of Fe/GaAs(1O0)[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(4):340-345. |
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| Authors: | XU Peng\|shou ZHANG Fa\|pei ZHU Chuan\|gang LU Er\|dong XU Fa\|qiang PAN Hai\|bin and ZHANG Xin\|yi |
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| Abstract: | The electronic structure and magnetism of Fe overlayer evaporated on sulfur passivated GaAs(100) by using CH\-3CSNH\-2 have been studied with synchrotron radiation photoemission (SRPES) and ferromagnetic resonance (FMR).The experimental results show that sulfur passivation can prevent As from diffusing into Fe overlayer,weaken the reaction of As with Fe and enhance the magnetism of Fe films. |
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| Keywords: | sulfur passivation semiconductor interface electronic structure magnetism |
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