| 多晶硅薄膜压阻系数的理论研究 |
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| 引用本文： | 刘晓为,霍明学,陈伟平,王东红,张颖.多晶硅薄膜压阻系数的理论研究[J].半导体学报,2004,25(3):292-296. |
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| 作者姓名： | 刘晓为 霍明学 陈伟平 王东红 张颖 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学MEMS中心 哈尔滨150001
(刘晓为，霍明学，陈伟平，王东红)，哈尔滨工业大学MEMS中心 哈尔滨150001(张颖) |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用应力退耦模型,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析,并推导出多晶硅压阻系数的表达式.实验结果表明,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合,所给出的有关多晶硅压阻系数的理论结果可以作为多晶硅特性分析的理论依据.
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| 关 键 词： | 应力退耦模型 压阻系数 多晶硅 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)03-0292-05 |
| 修稿时间： | 2003年3月12日 |
Theoretical Research on Piezoresistive Coefficients of Polysilicon Films |
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| Liu Xiaowei,Huo Mingxue,Chen Weiping,Wang Donghong and Zhang Ying.Theoretical Research on Piezoresistive Coefficients of Polysilicon Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(3):292-296. |
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| Authors: | Liu Xiaowei Huo Mingxue Chen Weiping Wang Donghong and Zhang Ying |
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| Abstract: | The piezoresistive coefficients of polysilicon films in monosilicon grains and grain boundaries are theoretically investigated by using stress decouple model.The expressions for the piezoresistive coefficients of polysilicon films are obtained.Consequently,a comparison between the experimental and theoretical results is performed,and a better uniformity is achieved.The presented theory is helpful for theory analysis of the piezoresistive properties of polysilicon. |
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| Keywords: | stress decouple model piezoresistive coefficients polysilicon |
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