| 0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟 |
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| 引用本文： | 池毓宋,黄风义,吴忠洁,张少勇,孔晓明,王志功.0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟[J].半导体学报,2006,27(2):373-376. |
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| 作者姓名： | 池毓宋 黄风义 吴忠洁 张少勇 孔晓明 王志功 |
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| 作者单位： | 东南大学无线电工程系 射频与光电集成电路研究所，南京 210096;东南大学无线电工程系 射频与光电集成电路研究所，南京 210096;东南大学无线电工程系 射频与光电集成电路研究所，南京 210096;东南大学无线电工程系 射频与光电集成电路研究所，南京 210096;东南大学无线电工程系 射频与光电集成电路研究所，南京 210096;东南大学无线电工程系 射频与光电集成电路研究所，南京 210096 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目
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江苏省自然科学基金
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东南大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作. 对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试，测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz, fmax超过了90GHz. 采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟. 在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.
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| 关 键 词： | CMOS 射频 小信号模型 参数提取 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)02-0373-04 |
| 收稿时间： | 11 21 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005年11月21日 |
Characterization and Modeling for 0.13μm RF MOSFETs |
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| Chi Yusong,Huang Fengyi,Wu Zhongjie,Zhang Shaoyong,Kong Xiaoming and Wang Zhigong.Characterization and Modeling for 0.13μm RF MOSFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(2):373-376. |
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| Authors: | Chi Yusong Huang Fengyi Wu Zhongjie Zhang Shaoyong Kong Xiaoming and Wang Zhigong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS RF small signal model parameter extraction |
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