| 垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器 |
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| 引用本文： | 李成,杨沁清,王红杰,罗丽萍,成步文,余金中,王启明.垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器[J].半导体学报,2000,21(5):480-482. |
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| 作者姓名： | 李成 杨沁清 王红杰 罗丽萍 成步文 余金中 王启明 |
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| 作者单位： | 集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;6989626 0; |
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| 摘 要： | 报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.
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| 关 键 词： | 光电探测器 多量子阱 SiGe/Si |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)05-0480-03 |
| 修稿时间： | 1999年2月5日 |
Normal-Incident Si0.7Ge0.3/Si Multiple Quantum Wells Photodetectors |
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| LI Cheng,YANG Qin\|qing,WANG Hong\|jie,LUO Li\|ping,CHENG Bu\|wen,YU Jin\|zhong and WANG Qi\|ming.Normal-Incident Si0.7Ge0.3/Si Multiple Quantum Wells Photodetectors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(5):480-482. |
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| Authors: | LI Cheng YANG Qin\|qing WANG Hong\|jie LUO Li\|ping CHENG Bu\|wen YU Jin\|zhong and WANG Qi\|ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photodetectors MQW SiGe/Si |
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