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| 剥层椭偏光谱法测定As~+注入Si的损伤分布 | |
| 引用本文： | 洪英,莫党.剥层椭偏光谱法测定As~+注入Si的损伤分布[J].半导体学报,1986,7(6):661-664. |
| 作者姓名： | 洪英 莫党 |
| 作者单位： | 中山大学物理系 (洪英)，中山大学物理系(莫党) |
| 摘 要： | 本文用椭偏光谱测量与阳极氧化剥层相结合的方法,测量了注入能量150keV、注入剂量在10~(13)-10~(16)cm~(-2)范围内的As~+注入Si损伤层的光学性质,得到了光学常数n、k在损伤层内的分布,并用有效介质理论计算出损伤分布.所得损伤分布与损伤理论进行了比较,两者基本一致. |
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