| 用于InP HBT的Agilent HBT模型参数提取流程 |
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| 引用本文： | 何佳,孙玲玲,刘军.用于InP HBT的Agilent HBT模型参数提取流程[J].半导体学报,2007,28(Z1):443-447. |
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| 作者姓名： | 何佳 孙玲玲 刘军 |
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| 作者单位： | 何佳（杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州,310018）;孙玲玲（杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州,310018）;刘军（杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州,310018） |
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| 摘 要： | 介绍了Agilent HBT大信号模型参数提取方法,继承并改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提取方法,以及对分布电容、本征电阻和渡越时间的参数提取技术,并对单指InP HBT器件进行了测量和仿真.实验结果表明,该模型对InP HBT直流特性及50MHz～25GHz频率范围内的交流小信号特性都能进行较好的表征.
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| 关 键 词： | Agilent HBT InP 大信号 模型 参数提取 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0443-05 |
| 修稿时间： | 2006年12月29 |
Agilent HBT Model Parameters Extraction Procedure For InP HBT |
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| He Jia,Sun Lingling,Liu Jun.Agilent HBT Model Parameters Extraction Procedure For InP HBT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):443-447. |
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| Authors: | He Jia Sun Lingling Liu Jun |
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| Keywords: | |
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