| Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性 |
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| 引用本文： | 张锦文,闫桂珍,张太平,王玮,宁宝俊,武国英.Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性[J].半导体学报,2002,23(4):424-427. |
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| 作者姓名： | 张锦文 闫桂珍 张太平 王玮 宁宝俊 武国英 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目;97-761-03-01; |
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| 摘 要： | 报道了栅长为1.5μm Au-AlGaN/GaN HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果.同时,研究了器件经300℃、30min热处理对器件性能的影响,并对比了热处理前后器件的室温特性.实验证明:室温下,器件具有良好的输出特性和肖特基结伏安特性,反向漏电流较小,最大跨导可达47mS/mm;经过300℃、30min热处理后器件的室温输出特性有显著改善,而且器件饱和压降明显降低,说明300℃热处理没有给器件造成不可恢复的破坏.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HFET 输出特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)04-0424-04 |
| 修稿时间： | 2001年7月20日 |
Fabrication of Au-AlGaN/GaN HFET and Its Properties |
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| Zhang Jinwen,Yan Guizhen,Zhang Taiping,Wang Wei,Ning Baojun and Wu Guoying.Fabrication of Au-AlGaN/GaN HFET and Its Properties[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(4):424-427. |
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| Authors: | Zhang Jinwen Yan Guizhen Zhang Taiping Wang Wei Ning Baojun and Wu Guoying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Al Ga N/ Ga N HFET output characteristics |
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