| Al2O3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制 |
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| 引用本文： | 任驰,杨红,韩德栋,康晋锋,刘晓彦,韩汝琦.Al2O3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制[J].半导体学报,2003,24(10). |
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| 作者姓名： | 任驰 杨红 韩德栋 康晋锋 刘晓彦 韩汝琦 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P-Si(100)衬底上制备了Al2O3栅介质层,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2O3栅介质层物理特性的影响.结果表明:在较高温度下N2气氛中退火有助于减小泄漏电流;在O2气氛中退火有助于减少Al2O3栅介质中的氧空位缺陷.对Al2O3栅介质泄漏电流输运机制的分析表明,在电子由衬底注入的情况下,泄漏电流主要由Schottky发射机制引起,而在电子由栅注入的情况下,泄漏电流可能由Schottky发射和Frenkel-Poole发射两种机制共同引起.
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| 关 键 词： | Al2O3栅介质 泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel-Poole发射 |
Fabrication Process and Leakage Current Conduction Mechanisms of Al2O3 Gate Dielectric Thin Films |
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