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| GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究 | |
| 引用本文： | 李志国,宋增超,孙大鹏,程尧海,张万荣,周仲蓉.GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究[J].半导体学报,2003,24(8). |
| 作者姓名： | 李志国 宋增超 孙大鹏 程尧海 张万荣 周仲蓉 |
| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 |
| 摘 要： | 提出了一种快速评价GaAs FET可靠性寿命的新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,及温度斜坡法在线快速提取器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而进一步求出器件的失效激活能等相关的可靠性物理参数. |
| 关 键 词： | GaAs FET 失效机理 快速评价 |
GaAs MESFET's Reliability and New Method of Rapid Evaluation |
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