| 用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算 |
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| 引用本文： | 杨恒青,颜佳骅,陈俭,曹永明.用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算[J].半导体学报,2003,24(3). |
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| 作者姓名： | 杨恒青 颜佳骅 陈俭 曹永明 |
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| 作者单位： | 1. 复旦大学材料科学系,上海,200433
2. 上海贝岭微电子制造有限公司,上海,200233 |
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| 摘 要： | 利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布.在适当的测量深度,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定,从而得到硅片中硼原子的深度分布.用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响.若探针针尖半径为r0,测量斜面的角度为ξ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时,可以近似认为深度分辨率为7.86r0sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响.
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| 关 键 词： | 扩展电阻 分辨率 二次离子质谱 硼离子注入 |
Application of Secondary Ion Mass Spectrometry and Spreading Resistance Probe Technique for Measuring Depth Profile of Boron Implanted in Silicon and Estimation of Resolution of Spreading Resistance Probe Technique |
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