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| 兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟 | |
| 引用本文： | 刘奎伟,韩郑生,钱鹤,陈则瑞,于洋,饶竞时,仙文岭.兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟[J].半导体学报,2003,24(7). |
| 作者姓名： | 刘奎伟 韩郑生 钱鹤 陈则瑞 于洋 饶竞时 仙文岭 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029 2. 中国科学院微电子中心,北京,100029;北京首科微电子工业研发中心有限公司,北京,100029 3. 首钢日电电子有限公司,北京,100041 |
| 摘 要： | 在Synopsys TCAD软件环境下,模拟实现了与0.5μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS器件,其中NMOS耐压达到108V,PMOS耐压达到-69V.在标准CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压CMOS器件,从而实现高、低压CMOS器件的集成.此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路. |
| 关 键 词： | 高压CMOS 0.5μm 兼容工艺 模拟 |
Design and Simulation of High-Voltage CMOS Devices Compatible with Standard CMOS Technologies |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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