| GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响 |
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| 引用本文： | 黎建明,屠海令,胡广勇,王超群,郑安生,钱嘉裕.GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响[J].半导体学报,2003,24(9). |
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| 作者姓名： | 黎建明 屠海令 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心,北京,100088 |
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| 摘 要： | 用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,从而产生高密度的位错.GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的平面移动,聚集后可形成小角晶界,从而导致GaAs晶体的晶格参数和取向均发生变化.
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| 关 键 词： | GaAs 退火 小角晶界 三轴晶模式衍射 |
Effect of Thermal Stress on Dislocations in GaAs Single Crystal During Annealing Process by Triple Axis Mode X-Ray Diffraction |
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